DENSO、半導体大手UMCの日本拠点USJCと協業ほか 半導体事業を積極化
拡大する(全1枚)

 DENSOと半導体ファウンドリー大手のユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション(UMC)日本拠点であるユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン(USJC)は、過日、車載向け半導体の需要拡大に対応するため、USJCの300mm(12inch)ウェーハ製造工場におけるパワー半導体生産で協業することに合意した。


 USJCが三重県桑名市に持つ300mmウエハー製造工場に絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT/Insulated Gate Bipolar Transistor)製造ラインを新設し、日本で初めてとなる300mmウェーハでのIGBT生産を開始する。今般のDENSOとUSJC協業によって、2023年上期に300㎜ウェーハでのIGBT生産開始をする予定だ。


 世界的なカーボンニュートラルへの要求、すなわちCO2削減の取り組みにおいて、電動車の開発・普及が加速。クルマの電動化に必要な半導体の需要もますます高まっている。そのなかでIGBTは、電動車のモーターを駆動・制御するために、直流電流を交流電流へ変換するインバーターにおいて、電源・電流のオンオフを切り替える機能を持つパワーカードに使用される中核デバイスだ。


 DENSOのIGBTデバイスおよびプロセス技術とUSJCの300mmウェーハ製造技術を融合し、高性能かつコスト効率の高いパワー半導体の生産を目指す。なお、この取り組みは、経済産業省の「サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金」に採択された。