仏国際放送局ラジオ・フランス・アンテルナショナル（RFI）中国語版は6日、中国が米国の半導体制裁を回避するためこれまでと異なる異例の戦略を取っていると報じた。
記事は、「中国の半導体産業は米国の制裁強化を受ける中でも独自の発展を続けている」と指摘し、仏誌レクスプレスに掲載された仏不動産テック企業ストナルのロバン・リヴァトンCEOによる経済コラムを紹介した。
同氏は米国の制裁下にある中国にとって重要なのは最先端で完璧な半導体を生み出すことではなく、国産半導体を安定して生産し、継続的に改良していくことだと指摘。その象徴的な事例として、中国の長鑫存儲（CXMT）製メモリーチップが米CORSAIR（コルセア）の製品に搭載されていたことが確認された出来事を挙げた。長鑫存儲は中国国内向けメーカーとの印象が強かったが、海外市場への浸透も進み始めているという。
また、中国が今年発表した第15次五カ年計画では、集積回路分野について「成熟プロセスの高度化」が掲げられている。リヴァトン氏によると、中国は米国の制裁を突破するための劇的な技術革新よりも、既存技術を改良して性能を引き上げる「現実的な戦略」を選択している。その例が華為技術（ファーウェイ）の露光技術に関する特許だといい、中国は最先端のEUV露光装置を入手できないため、旧世代の装置で同じ回路を何度も重ねて露光し、高性能チップに近付ける方法を模索している。
記事は、近年の半導体論争が「7ナノ」「5ナノ」といった先端プロセス競争に偏っていたと指摘し、「現在は中国が外部供給網に依存しない独自の産業体系を構築できるかどうかに関心が移りつつある」とした。
リヴァトン氏は「中国は成熟技術から最大限の価値を引き出しながら、3D積層や新材料など次世代技術にも同時に投資している。西側の最大の誤算は、半導体競争を単なる微細化競争と捉えてきたことにある」とし、中国は最先端技術のブレイクスルーだけでなく、長期的に自立した半導体エコシステムの構築を目指しているとの見方を示した。（翻訳・編集/北田）
