世界初※、微変気圧「波動」を用いた低圧環境成膜システムを開発

～シリコンウェハー表面を均一化し、2nm（ナノメートル）半導体製造に対応、歩留まりを大幅改善～

日本気圧バルク工業株式会社（本社：静岡県静岡市、代表取締役社長：天野英紀）は、2025年10月1日、半導体製造における膜厚のばらつきや段差形成を改善し、シリコンウェハーの表面均一化を実現するための、**微変気圧「波動」を利用した低圧環境制御型「半導体製造用成膜システム」を開発しました。

本システムは、年間を通じてプロセス室内の気圧を一定に保つことが可能で、工程環境を常に安定化させます。さらに、微変気圧の「波動」制御を組み合わせることで再現性を飛躍的に高め、膜厚の均一性と歩留まり（ぶどまり）の改善を同時に実現。最先端の2nm世代半導体プロセスに対応します。

特長

年間を通じた安定気圧制御
季節や外部環境に左右されず、常に一定の低圧低酸素環境を維持。

微変気圧「波動」制御の応用
気圧をナノスケールで緩やかに変調し、成膜プロセス中の粒子挙動を安定化。

シリコンウェハー表面の高い均一化
膜厚のばらつきや段差を抑制し、極めて平坦で均一なウェハー表面を実現。

2nm半導体プロセス対応
次世代の微細加工に必要な膜厚精度を確保し、先端デバイス性能を最大化。

歩留まりの向上
膜厚均一性の向上により不良率を低減し、生産効率を大幅に改善。

市場背景

世界的な半導体需要は拡大を続けており、特にAI、データセンター、自動運転、次世代通信（6G）における2nm世代半導体の需要が急増しています。微細化が進むほど製造工程での膜厚均一性の確保は難しくなり、歩留まり低下が大きな課題でした。当社の新システムは、安定した低圧低酸素環境によりこの根本課題を解決し、次世代半導体の高効率生産を可能にします。

社長コメント

「私たち日本気圧バルク工業は、長年培ってきた気圧制御技術を半導体製造に応用し、世界に先駆けて微変気圧の『波動』を利用した新成膜システムを実現しました。本技術により、2nm世代の最先端半導体に不可欠な均一性と歩留まり改善を可能にしました。2025年10月16日より受注販売を開始し、静岡から世界へ革新的ソリューションを提供してまいります。」
（代表取締役社長 天野英紀）

今後の展望

日本気圧バルク工業株式会社は、本システムを国内外の半導体メーカーや研究機関へ提供し、次世代半導体製造の安定化と高効率化に寄与してまいります。2026年より本格的な量産導入を予定しています。

※「世界初」表記については、2025年9月時点の当社調べ／公的データ・文献調査に基づくものです。

【画像 https://www.dreamnews.jp/?action_Image=1&p=0000330969&id=bodyimage1】


配信元企業：日本気圧バルク工業株式会社
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