拡大する次世代パワー半導体市場に新たな動き。SiCパワー半導体の普及に追い風

　次世代パワー半導体として注目されるシリコンカーバイド（SiC：炭化ケイ素、以下、SiC）の業界において、大きな動きがあった。SiC製品のリーディングカンパニーであるローム〈6963〉が、同社のグループ会社で、欧州においてSiCウエハ生産量シェア1 位を誇るSiCrystal社から、世界的な半導体メーカーとして知られるSTマイクロエレクトロニクス社へ、今後数年間にわたって、SiCウエハを供給する契約に合意したことを発表した。

　SiCが注目される背景には、世界の自動車産業で「xEV」が急成長していることがある。

　そもそも、パワー半導体は、同じ半導体でも演算や記憶に携わるマイコンやメモリとは異なり、電源の制御や電力の供給などを担う。マイコンやメモリがシステムの頭脳だとすれば、パワー半導体は神経や筋肉といったところだろうか。

　そんなパワー半導体の中でも、SiCやガリウムナイトライド（GaN）はとくに「次世代」パワー半導体と呼ばれており、その特長は、低損失で発熱が少ないことである。現在主流のシリコン（Si）製部品と比べて、同じ部品サイズであってもより高周波で動作できるため、機器の大幅な小型化と効率化が実現できる。大電力を扱うxEV関連市場において、システムの小型化や高効率な電力変換ができる次世代パワー半導体への期待は大きい。

　実際、すでにその兆候は現れており、市場調査会社の富士経済が昨年6月に発表した「2019年版 次世代パワーデバイス＆パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」によると、 SiCパワー半導体の2018年の市場規模は前年比41.8％増の390億円と報告されている。さらに2025年頃には大衆車でもSiCが採用されると予想し、2030年には2018年比10.8倍の4230億円にまで伸びると見込んでいるのだ。

　ちなみに同調査では、GaNパワー半導体は2030年には1085億円、 酸化ガリウム系パワー半導体は1542億円に達すると予想しており、いずれも急成長が見込まれてはいるものの、SiCにはまだ及ばない。今後十年のパワー半導体市場ではSiCが主流となりそうだ。

　また、フランスの市場調査会社Yole Developpementも、SiCパワー半導体の市場が2018年から2024年の間、年平均成長率29％で成長し、20億米ドルに達するという予測を発表している。

　しかも、世界的にみると、自動車の電動化はまだまだ始まったばかりだ。日本では現在、新車販売台数の30％以上がxEVといわれているが、他国をみてみると、アメリカが４％、フランスでも４．８％と、まだ普及途上であることが分かる。

　今回発表されたローム社とSTマイクロエレクトロニクス社のように、海外企業との協力体制が活発になってくれば、xEV先進国である日本は世界の自動車市場で大きなアドバンテージを得ることになるだろう。（編集担当：藤原伊織）