【画像：https://kyodonewsprwire.jp/img/202509115021-O1-OBV1rA1G】
- AIデータ・センター、ロボット工学、その他のアプリケーションの高効率化と小型化を推進する主要技術
- 専用GaN MPWが10月末に発売予定
- BCDの専門知識をGaNやSiCなどの化合物半導体に拡張
ソウル（韓国）、2025年9月11日 /PRNewswire/ -- 8インチ専門ファウンドリーのリーダーであるDB HiTekは本日、次世代パワー半導体プラットフォームである650V EモードGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）プロセスの開発が最終段階にあると発表しました。同社はまた、10月末に専用のGaN MPW（マルチプロジェクト・ウェハー）プログラムも提供する予定です。
従来のシリコンベースのパワー・デバイスと比較して、GaNベースの半導体は、高電圧、高周波、高温の動作条件下で優れた性能を発揮し、きわめて高い電力効率を実現します。特に、650V EモードGaN HEMTは、高速スイッチング性能と堅牢な動作安定性に優れており、EV充電インフラ、ハイパースケール・データ・センターの電力変換システム、高度な5Gネットワーク機器に最適です。
2022年、化合物半導体市場がまだ初期段階にあった頃、DB HiTekはGaNとSiCを主な成長の原動力と見極め、それ以来開発プロセスに多大な投資を行ってきました。DB HiTekの広報は次のようにコメントしています。「DB HiTekは、業界初の0.18µm BCDMOSプロセスの開発など、シリコンベースのパワー半導体技術におけるリーダーシップですでに世界的に認められています。GaNプロセス能力を追加することで、幅広い技術ポートフォリオにより当社の競争力を強化できると期待しています。」
DB HiTekは、650V GaN HEMTプロセスの完成に続き、2026年末までにIC（集積回路）統合に最適化された200V GaNプロセスと650V GaNプロセスを展開する予定です。今後、同社は市場のニーズと顧客の要件に合わせ、より広い電圧スペクトルにわたってGaNプラットフォームを拡大することを目指します。
これらの取り組みをサポートするために、DB HiTekは韓国の忠清北道にあるFab2のクリーンルーム施設を拡張しています。この拡張により、月間約35,000枚の8インチ・ウェハーの生産能力が追加され、GaN、BCDMOS、SiCプロセスの生産をサポートできるようになります。完成すると、DB HiTekの月間ウェハー総生産能力は154,000枚から190,000枚へと23%増加することになります。
一方、DB HiTekは、9月15日から18日まで釜山のBEXCOで開催されるICSCRM（シリコン・カーバイドおよび関連材料に関する国際会議、The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials）2025に参加する予定です。この世界的な業界フォーラムで、DB HiTekは、顧客や業界リーダーと直接交流しながら、GaNおよびBCDMOS技術とともにSiCプロセス開発の進歩を重点的に紹介します。
（日本語リリース：クライアント提供）
PR Newswire Asia Ltd.
【画像：https://kyodonewsprwire.jp/img/202509115021-O2-NGM3usWU】
PR Newswire
1954年に設立された世界初の米国広報通信社です。配信ネットワークで全世界をカバーしています。Cision Ltd.の子会社として、Cisionクラウドベースコミュニケーション製品、世界最大のマルチチャネル、多文化コンテンツ普及ネットワークと包括的なワークフローツールおよびプラットフォームを組み合わせることで、様々な組織のストーリーを支えています。www.prnasia.com
- AIデータ・センター、ロボット工学、その他のアプリケーションの高効率化と小型化を推進する主要技術
- 専用GaN MPWが10月末に発売予定
- BCDの専門知識をGaNやSiCなどの化合物半導体に拡張
ソウル（韓国）、2025年9月11日 /PRNewswire/ -- 8インチ専門ファウンドリーのリーダーであるDB HiTekは本日、次世代パワー半導体プラットフォームである650V EモードGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）プロセスの開発が最終段階にあると発表しました。同社はまた、10月末に専用のGaN MPW（マルチプロジェクト・ウェハー）プログラムも提供する予定です。
従来のシリコンベースのパワー・デバイスと比較して、GaNベースの半導体は、高電圧、高周波、高温の動作条件下で優れた性能を発揮し、きわめて高い電力効率を実現します。特に、650V EモードGaN HEMTは、高速スイッチング性能と堅牢な動作安定性に優れており、EV充電インフラ、ハイパースケール・データ・センターの電力変換システム、高度な5Gネットワーク機器に最適です。
2022年、化合物半導体市場がまだ初期段階にあった頃、DB HiTekはGaNとSiCを主な成長の原動力と見極め、それ以来開発プロセスに多大な投資を行ってきました。DB HiTekの広報は次のようにコメントしています。「DB HiTekは、業界初の0.18µm BCDMOSプロセスの開発など、シリコンベースのパワー半導体技術におけるリーダーシップですでに世界的に認められています。GaNプロセス能力を追加することで、幅広い技術ポートフォリオにより当社の競争力を強化できると期待しています。」
DB HiTekは、650V GaN HEMTプロセスの完成に続き、2026年末までにIC（集積回路）統合に最適化された200V GaNプロセスと650V GaNプロセスを展開する予定です。今後、同社は市場のニーズと顧客の要件に合わせ、より広い電圧スペクトルにわたってGaNプラットフォームを拡大することを目指します。
これらの取り組みをサポートするために、DB HiTekは韓国の忠清北道にあるFab2のクリーンルーム施設を拡張しています。この拡張により、月間約35,000枚の8インチ・ウェハーの生産能力が追加され、GaN、BCDMOS、SiCプロセスの生産をサポートできるようになります。完成すると、DB HiTekの月間ウェハー総生産能力は154,000枚から190,000枚へと23%増加することになります。
一方、DB HiTekは、9月15日から18日まで釜山のBEXCOで開催されるICSCRM（シリコン・カーバイドおよび関連材料に関する国際会議、The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials）2025に参加する予定です。この世界的な業界フォーラムで、DB HiTekは、顧客や業界リーダーと直接交流しながら、GaNおよびBCDMOS技術とともにSiCプロセス開発の進歩を重点的に紹介します。
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