「世界初、窒化アルミニウム(AlN)を採用した「AlN系高周波トランジスタ」による高周波増幅にNTTが成功、ポスト5Gでの活用に期待」の画像
1/1
本文へもどる
「世界初、窒化アルミニウム(AlN)を採用した「AlN系高周波トランジスタ」による高周波増幅にNTTが成功、ポスト5Gでの活用に期待」の画像1