京大、高品質・大面積化が可能なスズペロブスカイト半導体の製膜法を開発
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京都大学(京大)は9月25日、鉛フリーの「スズペロブスカイト半導体」について、高品質かつ大面積の薄膜を作製するための汎用性の高い塗布成膜法を開発したと発表した。

同成果は、京大 化学研究所の原田布由樹大学院生、同・中村智也助教、同・若宮淳志教授、同・金子竜二特定助教(現・エネコートテクノロジーズ所属)、同・Shuaifeng Hu大学院生(研究当時)らの研究チームによるもの。
詳細は、米国化学会が刊行するエネルギーを扱う学術誌「ACS Energy Letters」に掲載された。

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