2026年3月17日、香港メディアの星島環球は「現在発生しているメモリの短期的な供給不足と急速な値上げの恩恵を受けている半導体大手のサムスン電子やSKハイニックスなどのメーカーが、今後起こる可能性のある供給過多のリスクに備え、28年ごろをめどに製造計画の見直しを検討している」と分析する記事を公開した。
記事は初めに現状について「現在、人工知能（AI）設備への投資ブームによるメモリ需要の増加によって、DRAMや高帯域幅メモリ（HBM）の短期的な供給不足と急激な値上げが起きている。
次に記事は、各メーカーのメモリ需要への対応について紹介した。サムスン電子は華城（ファソン）事業所や平沢（ピョンテク）工場で、第5世代（1b）、第6世代（1c）など次世代プロセスのDRAMの生産拡大を図っている。SKハイニックスは利川（イチョン）、清州（チョンジュ）、龍仁（ヨンイン）などの拠点でメモリ製造の拡大を図っている。米国のマイクロンも同様にDRAM製造ラインの拡大を継続している一方、HBMの製造量を高めるため、昨年より関連設備の建設を急ピッチで進めている。日本のキオクシアや中国の長江存儲（YMTC）は、NAND型フラッシュメモリの製造を進めている。
韓国メディア「朝鮮ビズ（Chosunbiz）」の報道によると、サムスン電子の経営陣は現在のメモリ不足の状況が28年前半に収束すると見ており、HBM製造拡大と最先端プロセスへの投資を進めると同時に、将来的に発生する需要の波を考慮し、リスクコントロールとのバランスを取ることを重視し、過度な投資には慎重な姿勢を取っているという。
記事は最後に「キオクシアや長江存儲（YMTC）を含む競合企業が多いNAND型フラッシュメモリ市場では、技術競争や生産競争に伴い価格競争も激化している。NAND市場よりも競合が少なく、サムスン電子やSKハイニックス、米マイクロンの3社が主導権を握るDRAM市場でも、かつて供給過多により赤字を計上する事態が発生した。
