株式会社ディスコ 小笠原 舞 氏、大阪大学 佐野 泰久 氏、三星ダイヤモンド工業株式会社 北市 充 氏にご講演をいただきます。
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株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せるSiCパワー半導体 切断加工・ダイシングでの課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「SiCパワー半導体 切断加工・ダイシング」講座を開講いたします。
パワーデバイス用半導体材料として注目されているSiCの切断・ダイシング加工法として多様な技術をはじめ「高圧力SF6プラズマを用いたSiCウエハの無歪プラズマダイシング加工」や「結晶へき開型切断加工」などについて紹介！
本講座は、2025年07月07日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1f0313d3-6c92-67b4-a862-064fb9a95405
Live配信・WEBセミナー講習会 概要
──────────────────
テーマ：SiCパワー半導体におけるウェハの切断加工・ダイシング技術の最新動向
開催日時：2025年07月07日(月) 13:00-16:35
参 加 費：49,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminars/1f0313d3-6c92-67b4-a862-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
セミナー講習会内容構成
────────────
ープログラム・講師ー
∽∽───────────────────────∽∽
第1部 SiC ウェーハのダイシング技術
∽∽───────────────────────∽∽
講師 株式会社ディスコ 技術開発本部 T-Pro 小笠原 舞 氏
∽∽───────────────────────∽∽
第2部 高圧力SF6プラズマを用いたSiCウエハの無歪プラズマダイシング加工に関する基礎検討
∽∽───────────────────────∽∽
講師 大阪大学 大学院工学研究科 / 教授 佐野 泰久 氏
∽∽───────────────────────∽∽
第3部 化合物半導体(SiC)の結晶へき開型切断加工
∽∽───────────────────────∽∽
講師 三星ダイヤモンド工業株式会社 研究開発部 技術研究課 / 課長 北市 充 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
───────────────────────
・SiCウェーハに対する多様なダイシング技術
・高圧力プラズマを用いたエッチング技術の概要
・高圧力SF6プラズマを用いたSiCウエハの加工特性
・脆性材料、半導体基板の分断技術の種類と特徴
・スクライブ＆ブレイク法を用いた分断について
・ツールスクライブによる基板分断メカニズム
本セミナーの受講形式
─────────────
WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
株式会社AndTechについて
────────────
[画像2: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/80053/1188/80053-1188-4a1ee6dc0bbba43b58f74a264f116f53-1920x1005.jpg?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
https://andtech.co.jp/
株式会社AndTech 技術講習会一覧
─────────────────
[画像3: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/80053/1188/80053-1188-2d838cca964957da289b90c953822068-1920x1005.jpg?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。
https://andtech.co.jp/seminars/search
株式会社AndTech 書籍一覧
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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。
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株式会社AndTech コンサルティングサービス
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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
https://andtech.co.jp/business-consulting
本件に関するお問い合わせ
─────────────
株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
──────────────────────────────
∽∽───────────────────────∽∽
第1部 SiC ウェーハのダイシング技術
【講演主旨】
省エネ性能や発電効率に優れたSiCウェーハを用いたパワーデバイスは、カーボンニュートラルの観点からも期待され、急速に伸びてきている。市場拡大により、今後さらなる生産性が求められることが予想される。本講演では、SiCウェーハに対する多様なダイシング技術について紹介する。
【プログラム】
・SiCウェーハダイシングの難しさ
・SiCウェーハのダイシング手法
・ブレードダイシング
・ステルスダイシング
・新ソリューション
【質疑応答】
∽∽───────────────────────∽∽
第2部 高圧力SF6プラズマを用いたSiCウエハの無歪プラズマダイシング加工に関する基礎検討
【講演主旨】
低損失パワーデバイス用半導体材料として注目されているSiCはシリコンに比べて硬くて脆い材料のため、様々な新しい加工法の適用が検討されている。我々はSiCの高能率加工が可能な高圧力SF6プラズマによるプラズマエッチングをSiCウエハのプラズマダイシングへ適用することを提案している。マスクを用いたウエハ全面一括加工であるため加工時間はチップサイズやウエハ径に依存しないこと、加工原理は化学エッチングであるためダイシングした端面には信頼性低下につながるマイクロクラック等が存在しないこと、等の特徴を原理的に有している本加工法について、基本的な加工特性について解説する。
【プログラム】
１．高圧力プラズマを用いた高能率エッチング技術
1.1 低圧プラズマエッチングとの相違点
1.2 種々の応用例
２．SiCウエハの加工例
2.1 ベベル加工装置および加工例
2.2 裏面薄化加工装置および加工例
３．SiCウエハダイシング加工への応用
3.1 ワイヤー電極を用いた例
3.2 プラズマ発生領域制限マスクを用いた例
４．金属マスクと裏面薄化装置を用いたSiCウエハ高速ダイシング
4.1 加工特性のマスク幅依存性
4.2 加工特性の加工深さ依存性
4.3 加工特性に関する考察
５．今後の展望
【質疑応答】
【講演のポイント】
プラズマダイシングはシリコンにおいて実用化されている無歪ダイシング技術であるが、SiCにおいても反応種密度の大きい高圧力SF6プラズマを用いることで、実用的な加工速度が得られることを実証した。
∽∽───────────────────────∽∽
第3部 化合物半導体(SiC)の結晶へき開型切断加工
【講演主旨】
パワー半導体におけるエネルギーロスの低減やデバイス小型化の実現のため化合物半導体を使用した次世代パワー半導体（SiC）が注目されている。しかしながらSiCウェハは高硬度のため、従来加工技術では多大な時間がかかることが課題であり、その改善要求が高まっている。本セミナーでは高速切断が可能、カーフロスが発生しない、完全ドライプロセスであるスクライブ&ブレイクを応用したSiCウェハのチップ化について加工原理から説明し、加工品質に関する分析結果までを述べる。
【プログラム】
１．SiCパワー半導体への期待と求められる技術
1-1 半導体基板の一般的な加工法と課題
1-2 スクライブ&ブレイクとは
1-3 化合物半導体（SiC)への応用
1-4 SiCのスクライブメカニズム
1-5 SiCのブレイクメカニズム
1-6 スクライブ&ブレイクによるSiCウェハの切断
２．SiCの加工品質
2-1 外観観察結果
2-2 切断面の結晶性
2-3 切断面の残留応力
2-4 抗折強度
３．実基板への応用
3-1 BSS工法
3-2 実基板の切断事例
４．専用工具の開発
５．まとめ
【質疑応答】
【講演のポイント】
半導体基板のチップ化加工について、高速切断が可能、カーフロスが発生しない、完全ドライプロセスであるスクライブ&ブレイクを応用した革新的な手法を原理から学ぶことができる。
＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以 上企業プレスリリース詳細へ : https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000001188.000080053.htmlPR TIMESトップへ : https://prtimes.jp
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株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せるSiCパワー半導体 切断加工・ダイシングでの課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「SiCパワー半導体 切断加工・ダイシング」講座を開講いたします。
パワーデバイス用半導体材料として注目されているSiCの切断・ダイシング加工法として多様な技術をはじめ「高圧力SF6プラズマを用いたSiCウエハの無歪プラズマダイシング加工」や「結晶へき開型切断加工」などについて紹介！
本講座は、2025年07月07日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1f0313d3-6c92-67b4-a862-064fb9a95405
Live配信・WEBセミナー講習会 概要
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テーマ：SiCパワー半導体におけるウェハの切断加工・ダイシング技術の最新動向
開催日時：2025年07月07日(月) 13:00-16:35
参 加 費：49,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
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セミナー講習会内容構成
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ープログラム・講師ー
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第1部 SiC ウェーハのダイシング技術
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講師 株式会社ディスコ 技術開発本部 T-Pro 小笠原 舞 氏
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第2部 高圧力SF6プラズマを用いたSiCウエハの無歪プラズマダイシング加工に関する基礎検討
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講師 大阪大学 大学院工学研究科 / 教授 佐野 泰久 氏
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第3部 化合物半導体(SiC)の結晶へき開型切断加工
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講師 三星ダイヤモンド工業株式会社 研究開発部 技術研究課 / 課長 北市 充 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
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・SiCウェーハに対する多様なダイシング技術
・高圧力プラズマを用いたエッチング技術の概要
・高圧力SF6プラズマを用いたSiCウエハの加工特性
・脆性材料、半導体基板の分断技術の種類と特徴
・スクライブ＆ブレイク法を用いた分断について
・ツールスクライブによる基板分断メカニズム
本セミナーの受講形式
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株式会社AndTechについて
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化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
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第1部 SiC ウェーハのダイシング技術
【講演主旨】
省エネ性能や発電効率に優れたSiCウェーハを用いたパワーデバイスは、カーボンニュートラルの観点からも期待され、急速に伸びてきている。市場拡大により、今後さらなる生産性が求められることが予想される。本講演では、SiCウェーハに対する多様なダイシング技術について紹介する。
【プログラム】
・SiCウェーハダイシングの難しさ
・SiCウェーハのダイシング手法
・ブレードダイシング
・ステルスダイシング
・新ソリューション
【質疑応答】
∽∽───────────────────────∽∽
第2部 高圧力SF6プラズマを用いたSiCウエハの無歪プラズマダイシング加工に関する基礎検討
【講演主旨】
低損失パワーデバイス用半導体材料として注目されているSiCはシリコンに比べて硬くて脆い材料のため、様々な新しい加工法の適用が検討されている。我々はSiCの高能率加工が可能な高圧力SF6プラズマによるプラズマエッチングをSiCウエハのプラズマダイシングへ適用することを提案している。マスクを用いたウエハ全面一括加工であるため加工時間はチップサイズやウエハ径に依存しないこと、加工原理は化学エッチングであるためダイシングした端面には信頼性低下につながるマイクロクラック等が存在しないこと、等の特徴を原理的に有している本加工法について、基本的な加工特性について解説する。
【プログラム】
１．高圧力プラズマを用いた高能率エッチング技術
1.1 低圧プラズマエッチングとの相違点
1.2 種々の応用例
２．SiCウエハの加工例
2.1 ベベル加工装置および加工例
2.2 裏面薄化加工装置および加工例
３．SiCウエハダイシング加工への応用
3.1 ワイヤー電極を用いた例
3.2 プラズマ発生領域制限マスクを用いた例
４．金属マスクと裏面薄化装置を用いたSiCウエハ高速ダイシング
4.1 加工特性のマスク幅依存性
4.2 加工特性の加工深さ依存性
4.3 加工特性に関する考察
５．今後の展望
【質疑応答】
【講演のポイント】
プラズマダイシングはシリコンにおいて実用化されている無歪ダイシング技術であるが、SiCにおいても反応種密度の大きい高圧力SF6プラズマを用いることで、実用的な加工速度が得られることを実証した。
∽∽───────────────────────∽∽
第3部 化合物半導体(SiC)の結晶へき開型切断加工
【講演主旨】
パワー半導体におけるエネルギーロスの低減やデバイス小型化の実現のため化合物半導体を使用した次世代パワー半導体（SiC）が注目されている。しかしながらSiCウェハは高硬度のため、従来加工技術では多大な時間がかかることが課題であり、その改善要求が高まっている。本セミナーでは高速切断が可能、カーフロスが発生しない、完全ドライプロセスであるスクライブ&ブレイクを応用したSiCウェハのチップ化について加工原理から説明し、加工品質に関する分析結果までを述べる。
【プログラム】
１．SiCパワー半導体への期待と求められる技術
1-1 半導体基板の一般的な加工法と課題
1-2 スクライブ&ブレイクとは
1-3 化合物半導体（SiC)への応用
1-4 SiCのスクライブメカニズム
1-5 SiCのブレイクメカニズム
1-6 スクライブ&ブレイクによるSiCウェハの切断
２．SiCの加工品質
2-1 外観観察結果
2-2 切断面の結晶性
2-3 切断面の残留応力
2-4 抗折強度
３．実基板への応用
3-1 BSS工法
3-2 実基板の切断事例
４．専用工具の開発
５．まとめ
【質疑応答】
【講演のポイント】
半導体基板のチップ化加工について、高速切断が可能、カーフロスが発生しない、完全ドライプロセスであるスクライブ&ブレイクを応用した革新的な手法を原理から学ぶことができる。
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