三菱電機 IGBTモジュールTシリーズ 産業用LV100タイプを9月発売＿業界最大クラス電流密度、内部構造を最適化
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三菱電機は、パワー半導体の新製品「IGBTモジュール Tシリーズ 産業用LV100タイプ」5品種をことし9月から発売する。

（IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor＝高耐圧絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）

同社は今回、鉄道・電力用途で広く使用されている、高い電流密度で汎用性が高い共通外形パッケージ LV100タイプを産業用途むけに最適化。

太陽光・風力発電などの再生可能エネルギー電源用のインバーターなどの電力変換装置や、大容量のモータードライブ装置の小型化・低消費電力化に貢献する。

また、キャリア蓄積効果を利用した同社独自IGBT（CSTBT構造）採用の第7世代IGBT・RFCダイオードを搭載、低電力損失を実現した。

（RFC：Relaxed Field of Cathode Diode＝カソード側の電子移動度を最適化した当社独自のダイオード）

さらにパッケージ構造の最適化で、大容量IGBTモジュールとして業界最大クラスの電流密度17.14A/cm2を実現。再生可能エネルギー電源用のインバーターなどの電力変換装置や大容量のモータードライブ装置の小型化に貢献する。

信頼性もアップ。絶縁部と銅ベース部を一体化した構造の採用によるサーマルサイクル寿命の向上と、内部電極構造の最適化による業界最高クラスの低パッケージインダクタンスを実現。

端子配列の最適化でかんたんに並列接続でき、多様なインバーター構成・容量に対応。AC主電極を3端子に増やし、電流を分散することで電極端子の発熱を緩和、高出力化にも貢献する。

（サーマルサイクル寿命：システムの起動・停止で生じる比較的緩やかな温度変化に起因する寿命）

5種類をラインナップ。価格は4万6000円～6万8000円。
　　
　　
　　
　　
　　

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