【東芝デバイス＆ストレージ】SiC(炭化ケイ素)パワー半導体用ウエハーに関する連携に向けた基本合意について

2025年8月22日東芝デバイス＆ストレージ株式会社山東天岳先進科技股份有限公司SiC(炭化ケイ素)パワー半導体用ウエハーに関する連携に向けた基本合意について 東芝デバイス＆ストレージ株式会社（以下、東芝デバイス＆ストレージ）と、山東天岳先進科技股份有限公司（以下、SICC）は、SICCが開発・製造するSiCパワー半導体用ウエハーに関して、SiCパワー半導体の特性向上、品質改善に向けた技術協力およびその成果を用いた両社間での高品質で安定的なウエハー供給の拡大に向けたビジネス上の連携を行うことについて基本合意しました。今後、両社間において共同で、もしくは相互に協力して取り組みを進める項目について詳細の協議を進めていきます。 電力を供給、制御する役目を果たすパワー半導体は、あらゆる電気機器の省エネルギー化やカーボンニュートラルの実現に不可欠な半導体であり、機器における電力使用の更なる効率化に関する要求などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。中でもSiCウエハーを用いたパワー半導体は、電気自動車や再生可能エネルギーシステムなどの高効率電力変換用途等、高温環境下での動作が求められるため、電力効率に加えて信頼性や品質の安定性が課題となっています。 こうした中、東芝デバイス＆ストレージは、鉄道向けのSiCパワー半導体の開発、製造、供給の実績をベースとして、サーバー電源用、車載用などのSiCデバイス開発を加速しており、今後さらにSiCパワー半導体の一層の損失低減、将来の高効率電力変換用途における信頼性と効率の向上を目指した製品開発を加速していきます。このためには東芝デバイス＆ストレージ独自の研究開発に加え、SiCウエハーの技術改良との緊密な連携が必須であり、SiCウエハーの開発、量産技術においてグローバルなリーダーシップを有するSICCとの具体的な連携が実現した際には、各用途に向けた最適なソリューションの提案が可能となり、事業拡大を加速することが出来るものと期待しています。 SICCは、2010年に創業後、一貫して単結晶SiCウエハーの開発生産を専業としてきました。品質と技術開発を事業理念の中心とし、世界トップ5の関連特許数を保有しています。2022年中国初のSiCをテーマとした株式上場を機に、グローバルな事業拡大と市場シェア拡大を垂直的に実現してきました。 2024年には、市場で初めての12インチSiCウエハーを発表し、2025年にはn型、半絶縁型、p型の全製品で12インチウエハーを発表しました。これからも、品質と最先端の技術力を通して、お客様に貢献できる企業を目指していきます。 この度、東芝デバイス＆ストレージとの連携を実現させることにより、SiCパワー半導体製品の目線からの要求事項、また東芝デバイス＆ストレージのSiCウエハーの要素技術利用に関する期待値などをSICCのウエハーの品質や信頼性の向上に結び付け、SiCパワー半導体の市場拡大への貢献を目指します。 東芝デバイス＆ストレージおよびSICCは、今般締結した基本合意書に基づき、それぞれの事業の発展に繋がり得る具体的な連携内容について引き続き協議を行います。[画像1]https://digitalpr.jp/simg/1398/116429/400_290_2025082209534268a7bf96720b3.png8月8日に実施された調印式の様子（左から）SICC 董事長 宗艶民東芝デバイス＆ストレージ 取締役常務 半導体事業部バイスプレジデント 栗原紀泰* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。* 本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。＊東芝デバイス＆ストレージ株式会社は株式会社東芝の１００％子会社です。