AndTech　「EUVリソグラフィ技術～レジスト材料・光源・露光装置技術・各種構成の変遷と現状～」の書籍を刊行

株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫）は、次世代半導体露光技術と目されるEUVリソグラフィに特化した書籍を5月23日付で発刊いたしました。★次世代半導体露光技術と目されるEUVリソグラフィに特化した、 当分野に参画するうえで必読の入門書！★EUVリソグラフィの概要・微細化の変遷にはじまり、レジスト材料・光源・露光装置技術 およびマスクやぺリクルなどの各種構成の概要や技術的変遷について網羅的に解説！★Beyond EUVLの展望や、日本の半導体技術復活に向けて目指すべき半導体業界の 将来像についても、第一人者が解説！B5判,194ページの技術書を44,000円にて販売開始。兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 極端紫外線リソグラフィー研究開発センター 教授 (学長特別補佐（先端科学技術・異分野融合研究推進）、所長特別補佐、センター長)／博士（理学） 渡邊 健夫 氏にご監修ををいただいております。詳細：https://andtech.co.jp/books/1ede3350-3cf0-6dc2-93fe-064fb9a95405[画像1: https://prtimes.jp/i/80053/440/resize/d80053-440-2cfc3c9637154f3fa1f0-3.jpg ]書籍概要テーマ：EUVリソグラフィ技術 ～レジスト材料・光源・露光装置技術・各種構成の変遷と現状～発刊日：2023年5月23日価 格：44,000円(本体40,000円+消費税、送料込)U R L ：https://andtech.co.jp/books/1ede3350-3cf0-6dc2-93fe-064fb9a95405ISBN：978-4-909118-56-1書籍内容構成ー監修（敬称略）ー◆渡邊 健夫兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 極端紫外線リソグラフィー研究開発センター 教授（学長特別補佐（先端科学技術・異分野融合研究推進）、所長特別補佐、センター長）／博士（理学）ー執筆者（敬称略、掲載順）ー◆藤森 亨富士フイルム株式会社 エレクトロニクスマテリアルズ研究所 シニアエキスパート◆丸山 研JSR株式会社 四日市研究センター 精密電子研究所 副所長アドバンスリソグラフィー材料開発室 室長／博士(工学)◆中村 剛東京応化工業株式会社 開発本部 先端材料開発2部 シニアエキスパート◆工藤 宏人関西大学 化学生命工学部 教授／兵庫県立大学 客員教授／博士（工学）◆関口 淳リソテックジャパン株式会社 ナノサイエンス研究所 所長／博士（工学）◆溝口 計ギガフォトン株式会社 シニアフェロー／九州大学 客員教授／工学博士◆長野 晃尚ウシオ電機株式会社 事業統括本部Industrial Process事業部EUVGBU技術開発統括部研究開発二課 課長／博士(工学)◆鈴木 一明東京工業大学 産学協創教育コーディネータ―／九州大学 アドバイザー／博士（工学）◆永原 誠司東京エレクトロン株式会社 シニアチーフエンジニア（Senior Director）／博士（工学）◆森川 泰考大日本印刷株式会社 ファインデバイス事業部 第1製造本部 技術部 リーダー◆笑喜 勉HOYA株式会社 プリンシパル／工学博士◆小野 陽介三井化学株式会社 主任研究員／理学博士◆石川 彰三井化学株式会社 主任研究員／工学博士ー目次ー【第１章】 EUVリソグラフィの概要【第２章】 EUVリソグラフィ・レジスト材料 第１節 EUVリソグラフィ用フォトレジストの変遷第２節 EUVリソグラフィ用フォトレジストの線幅ばらつきの要因第３節 EUVレジスト材料における微細化と欠陥について第４節 EUVレジスト材料の要求特性と分子設計【第３章】 EUVレジストの透過率測定法【第４章】 EUVリソグラフィと光源開発・露光装置および検査装置第１節 高出力EUV光源の開発第２節 放電型EUVプラズマ光源技術第３節 EUVリソグラフィと露光装置第４節 EUVリソグラフィ向け塗布現象装置プロセス技術第５節 マスク欠陥検査技術の基礎【第５章】 EUVリソグラフィとフォトマスク・ペリクル第１節 次世代EUV半導体プロセス向けフォトマスクの開発第２節 反射型マスクブランクの製造方法第３節 クローズドペリクルの開発【第６章】 EUVリソグラフィ技術のまとめ、並びにBeyond EUVLの展望～目指すべき半導体業界の将来像～株式会社AndTechについて[画像2: https://prtimes.jp/i/80053/440/resize/d80053-440-2ac86207662ddf238bb8-1.jpg ]化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。https://andtech.co.jp/株式会社AndTech 技術講習会一覧[画像3: https://prtimes.jp/i/80053/440/resize/d80053-440-ec792aef1405bc9b56d7-4.jpg ]一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。https://andtech.co.jp/seminars/search株式会社AndTech 書籍一覧[画像4: https://prtimes.jp/i/80053/440/resize/d80053-440-0a8cf80dfef2e8d0eb69-2.jpg ]選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。https://andtech.co.jp/books株式会社AndTech コンサルティングサービス経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。https://andtech.co.jp/business-consulting本件に関するお問い合わせ株式会社AndTech 広報PR担当 青木メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）全目次（詳細が気になる方は是非ご覧ください）【第1章】 EUVリソグラフィの概要～EUVリソグラフィ用材料・技術の進化と半導体業界の変遷～兵庫県立大学 渡邊 健夫1. 露光光学系と露光装置2. EUVマスク3. EUVレジスト【第2章】 EUVリソグラフィ・レジスト材料第1節 EUVリソグラフィ用フォトレジストの変遷富士フイルム株式会社 藤森 亨1. リソグラフィ微細化の歴史2. フォトレジスト材料の変遷2.1 光源にあわせて進化するレジスト材料、KrF用およびArF用化学増幅型レジスト2.2 化学増幅型レジストのEUVリソグラフィへの適用2.3 化学増幅型ネガティブトーンイメージング（ネガティブトーン現像）EUV-NTI2.4 微細パターン対応を鑑みた低分子型レジスト2.5 非化学増幅型レジスト2.6 さらなる性能向上に立ちはだかる本質課題、ストカスティック欠陥2.7 レジストアウトガス第2節 EUVリソグラフィ用フォトレジストの線幅ばらつきの要因JSR株式会社 丸山 研1. 線幅ばらつきの原因2. 線幅ばらつき改善のアプローチ2.1 主鎖切断レジスト材料2.2 分子レジスト材料2.3 ポリマーバウンドPAG型レジスト材料2.4 高量子収率PAGレジスト材料2.5 高EUV吸収原子導入レジスト材料2.6 金属レジスト材料第3節 EUVレジスト材料における微細化と欠陥について東京応化工業株式会社 中村 剛1. リソグラフィにおける欠陥2. EUVリソグラフィと欠陥2.1 EUVリソグラフィにおける微細化について2.2 EUVリソグラフィにおいての欠陥低減手法2.3 確率以外の欠陥要因2.4 プロセス要因による欠陥3. 今後の欠陥低減について第4節 EUVレジスト材料の要求特性と分子設計関西大学 工藤 宏人1. EUVレジスト材料に求められる物理的特性（溶解性、成膜性、耐熱性）2. EUVレジスト材料に求められるレジスト特性2.1 溶解性変化の確認2.2 膜減り特性2.3 EUVレジスト感度特性2.4 EUVレジスト耐エッチング性2.5 EUVレジスト材料の透明性2.6 EUVレジスト材料の化学増幅型2.7 EUVレジスト材料のアウトガス特性評価2.8 EUVレジスト材料のトレードオフ問題について2.9 EUVレジスト材料の開発例2.9.1 分子レジスト材料2.9.2 金属含有ナノパーテイクルを用いた高感度化レジスト材料の開発2.9.3 EUV高吸収元素を含有するレジスト【第3章】 EUVレジストの透過率測定法リソテックジャパン株式会社 関口 淳1. EUVレジストの透過率測定法2. 実験装置2.1 透過率測定システム2.2 透過率測定用メンブレン基板3. 実験結果4. HfO2添加の効果の確認【第4章】 EUVリソグラフィと光源開発・露光装置および検査装置第1節 高出力EUV光源の開発ギガフォトン株式会社 溝口 計1. 半導体の微細化とリソグラフィ光源の進歩1.1 微細化とリソグラフィの進化1.2 Rayleighの式と光源の短波長化の歴史1.3 DUV光源の狭帯域化と屈折投影光学系1.4 多重露光技術1.5 狭帯域化KrFエキシマレーザ1.6 狭帯域化ArFエキシマレーザ2．EUVリソグラフィ2.1 EUVリソグラフィと開発の経緯2.2 世界の露光装置開発と市場の現況3. 高出力EUV光源の開発の経緯とコンセプト4. 高出力EUV光源開発の進展4.1 変換効率の向上4.2 高出力CO2レーザの開発4.3 磁場デブリミチゲーション5. 量産向けEUV光源システムの開発第2節 放電型EUVプラズマ光源技術ウシオ電機株式会社 長野 晃尚1. 放電によるEUV発光プラズマの生成1.1 プラズマからのEUV発光1.2 放電によるEUV発光プラズマ生成方法の概要1.2.1 キャピラリー放電1.2.2 Zピンチ1.2.3 プラズマフォーカス1.2.4 ホローカソードトリガ放電2. キャピラリーZピンチ放電を利用したDPP光源2.1 キャピラリーZピンチ放電の概要2.2 キャピラリーZピンチ放電光源の開発2.2.1 Xeガスを用いた光源2.2.2 スタナンガスを用いた光源3. 量産向け高出力光源の開発3.1 レーザーアシスト型放電プラズマ光源の開発3.1.1 LDP光源におけるEUV発光プラズマ生成3.1.2 LDP光源の構成3.2 LDP光源の特性3.2.1 ダブルレーザー照射による光源性能の向上3.2.2 デブリシールドの性能評価3.2.3 モジュールの寿命実績および光源の稼働率3.2.4 IFでのEUVパワーのスケーラビリティ4. LDP光源開発の現状4.1 EUVマスク検査への応用4.2 量産用EUVマスク検査機向けLDP光源開発4.2.1 LDP光源の輝度4.2.2 LDP光源の稼働実績第3節 EUVリソグラフィと露光装置東京工業大学 鈴木 一明1. 半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ1.1 マスクの準備1.2 前工程1.3 後工程2. 露光方式の進化3. EUV露光装置のユニット構成4. 半導体露光装置の性能4.1 主要性能（結像性能、重ね合わせ精度、ウエハ露光処理能力）と要素性能の関係4.2 解像度、焦点深度4.3 部分的コヒーレンス理論と一次元周期構造物体の空間像コントラスト5. EUV露光装置の特徴5.1 EUV光源5.2 多層膜ミラー5.3 反射光学系5.4 コンタミネーション制御5.5 EUV マスク5.6 真空ステージ5.6.1 マスクステージ5.6.2 ウエハステージ第4節 EUVリソグラフィ向け塗布現象装置プロセス技術東京エレクトロン株式会社 永原 誠司1. EUVレジストプロセスの課題1.1 デバイスとリソグラフィトレンド1.2 EUVリソグラフィのレジストプロセスの技術課題2. EUVレジスト塗布・現像技術の概要2.1 EUVリソグラフィ用レジスト塗布・露光・現像装置2.2 EUVレジスト塗布・露光・現像の基本的な流れ3. 化学増幅型EUVレジスト対応塗布・現像技術3.1 化学増幅型レジストプロセスの優位点と課題3.2 化学増幅型レジストプロセスのレジスト倒壊防止技術4. メタルオキサイドレジスト（MOR）対応塗布・現像技術4.1 メタルオキサイドレジストの優位点と課題4.2 メタルオキサイドレジストのベーク技術4.3 メタルオキサイドレジストのパターニング技術4.4 メタルオキサイドレジストの新現像技術4.5 メタルオキサイドレジストによる微細パターン形成例4.6 レジストプロセス中の補助プロセスによるメタルオキサイドレジストの増感第5節 マスク欠陥検査技術の基礎兵庫県立大学 渡邊 健夫1. EUVマスクの構造2. Mo/Si多層膜3. EUVマスクの欠陥【第5章】 EUVリソグラフィとフォトマスク・ペリクル第1節 次世代EUV半導体プロセス向けフォトマスクの開発大日本印刷株式会社 森川 泰考1. EUVマスクの特徴と技術課題1.1 EUVマスクの構造と転写の概要1.2 EUVマスクへの要求仕様1.3 EUVマスク基板への要求仕様1.4 遮光帯（Black Border；BB）1.5 EUVペリクル2. EUVマスクの製造工程2.1 データ準備工程（Mask Data Preparation；MDP）2.2 描画現像工程（レジストプロセス）2.3 エッチング工程2.4 計測・検査・修正工程3. 次世代EUVマスクの開発課題3.1 微細化の追求（解像度の向上）とさらなる複雑化への対応3.2 新材料（位相シフトマスク）の適用3.3 スティッチング露光への対応3.4 高透過率EUVペリクルの開発第2節 反射型マスクブランクの製造方法HOYA株式会社 笑喜 勉1. ガラス基板材料2. サブストレート加工プロセス3. 多層膜4. 吸収体5. 裏面導電膜第3節 クローズドペリクルの開発三井化学株式会社 小野 陽介 ・ 石川 彰1. EUVペリクルのコンセプト1.1 現行のEUVペリクル1.2 クローズドペリクル開発コンセプト2. クローズドペリクル用低アウトガス接着剤の開発2.1 接着剤開発課題：アウトガスの抑制2.2 コーティング接着剤の開発2.2.1 アウトガス評価2.2.2 コンタミ付着特性評価2.2.3 コーティング接着剤のEUV照射耐性3. 通気枠の設計3.1 通気枠の試作3.2 通気性評価【第6章】 EUVリソグラフィ技術のまとめ、並びにBeyond EUVLの展望～目指すべき半導体業界の将来像～兵庫県立大学 渡邊 健夫1. EUVリソグラフィ技術のまとめ2. Beyond EUVLの展望3. 日本の半導体技術復活に向けて＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。以 上企業プレスリリース詳細へPR TIMESトップへ