レゾナックが「第24回GSC賞経済産業大臣賞」を受賞

~ カーボンニュートラルに貢献するパワー半導体向け高品質SiCエピウェハーが評価 ~株式会社レゾナック（代表取締役社長 CEO：高橋 秀仁、以下、当社）は、当社が開発・供給するパワー半導体向け高品質SiC※1エピウェハー※2が、公益社団法人新化学技術推進協会（以下、JACI）主催の第24回グリーン・サステイナブルケミストリー賞（GSC賞）※3 経済産業大臣賞を受賞したことをお知らせいたします。本受賞は、当社が手掛ける高品質SiCエピウェハーの開発とその社会実装が、カーボンニュートラル社会の実現に向けた産業技術として、その社会的価値を高く評価されたことによるものです。現在、地球温暖化や環境問題が深刻化する中で、世界中でカーボンニュートラルの実現が喫緊の課題となり、エネルギー変革を促進するための先進的な技術開発が求められています。その一環として、SiCを用いたパワー半導体が注目を集めています。この半導体は、シリコンを用いた従来のパワー半導体に比べて、高耐圧・大電流・高温動作・低損失などの特性を有し、エネルギー効率の向上に寄与しています。当社は、高品質なSiCエピウェハーの開発と量産化に成功しています。その中でも「第二世代ハイグレードエピ（HGE-2G）」は、従来品を超える欠陥密度の低減を達成し、パワー半導体の信頼性向上を実現しました。この技術は、特に100A級大電流デバイスの実用化や車載用インバータの駆動素子に採用され、国内外で高い評価を得ています。さらに、国内で初めて8インチ（200mm）SiCエピウェハーのサンプル出荷を開始し、本技術の実用化をさらに加速させています。【受賞技術の特徴と社会的意義】エネルギー変革への貢献：高品質SiCエピウェハーを用いて製造される、高耐圧・大電流対応のSiCパワー半導体は、電気自動車（EV）、再生可能エネルギー、鉄道車両、AIデータセンター用電源など、さまざまな分野での利用が進んでいる。革新性・技術力：「HGE-2G」の開発や8インチSiCエピウェハーの製造を可能にする、高度な結晶成長プロセス、欠陥制御技術、AIを活用した評価技術、革新的な専用装置により、優れた量産性と信頼性を実現した。長年の研究と共創：1998年から二十数年に及ぶ研究開発努力と、共創・オープンイノベーションによる技術基盤の強化。当社は今後も、カーボンニュートラル社会の実現に向けた技術の発展と実用化に取り組んでまいります。[画像1: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/102176/150/102176-150-37652e0dcb50c16ae21710934461e3fb-1200x709.jpg?width=536&amp;quality=85%2C75&amp;format=jpeg&amp;auto=webp&amp;fit=bounds&amp;bg-color=fff ]7月15日表彰式[画像2: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/102176/150/102176-150-db0ddeb7c8d04315b938041de14ebabc-3900x2600.jpg?width=536&amp;quality=85%2C75&amp;format=jpeg&amp;auto=webp&amp;fit=bounds&amp;bg-color=fff ]SiCエピウェハー（左：6インチ、右：8インチ）[画像3: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/102176/150/102176-150-b1c1dbcdacbafa0c56c98221399e95fa-582x363.png?width=536&amp;quality=85%2C75&amp;format=jpeg&amp;auto=webp&amp;fit=bounds&amp;bg-color=fff ]第2世代ハイグレードエピ（HGE-2G）の表面欠陥の低減例※1 シリコン（Si）と炭素（Ｃ）から成る化合物半導体。※2 SiC基板上に、エピタキシャル成長技術を用いて薄い高品質のSiC層を形成したウェハー。※3 JACIが毎年開催し、持続可能な社会の実現を目指し、環境負荷の低減や新しい化学技術の社会実装に貢献した技術や製品に「GSC賞」が贈られる。企業プレスリリース詳細へ : https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000150.000102176.htmlPR TIMESトップへ : https://prtimes.jp