「カーボンナノチューブを効率よく成長させる触媒を開発 高品質なカーボンナノチューブを生む新たな合成法の開発に期待」の画像
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図3. (a)800℃または900℃でアニール処理(炭素源供給なし)を行った後の、Feナノ粒子のSEM写真。(b)900℃でのCNT成長後にX線をもちいて測定した結果(FeのK吸収端XANESスペクトル)。
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