2026年9月2日、シンガポール紙・聯合早報は、スイスの金融大手UBSのアナリストが中国の半導体製造技術について、今後10年以内に最先端の極端紫外線（EUV）露光装置の代替策を確立することは困難であるとの見通しを示したと報じた。
記事は、ブルームバーグが伝えたUBSの最新調査報告書を紹介。
UBSのアナリストは報告書の中で、「中国の現在の半導体露光装置の開発段階は、オランダの半導体製造装置大手ASMLの2004年当時の状況に近い」と指摘したという。
報告書によると、光源やレーザーのサブシステムに関する特許動向を分析した結果、中国の技術的成熟度はASMLがEUV露光装置の量産を開始する約15年前の水準にとどまっているという。また、歩留まりや処理能力におけるASMLとの格差や各国の規制を踏まえると、中国製の露光装置が中国国外の市場で実用化される可能性は極めて低いとのことだ。
その一方で、報告書は、中国が今後2～5年以内に液浸深紫外線（DUV）露光装置の大規模な製造能力を獲得する可能性が高いとも予測。DUV装置はEUVほど高度ではないものの、光を用いてシリコンウエハー上に微細な回路パターンを転写する半導体製造に不可欠な基幹設備であると解説した。
記事は、上海愛晟納電子科技集団が国内の技術陣を統合し、国産DUV装置の生産作業を主導しているとロイター通信が7月末に報じるなど、DUVの自給自足に向けた動きが続いていることを伝えた。（編集・翻訳/川尻）
編集部おすすめ
