2026年5月29日、韓国・文化日報は「サムスン電子が世界で初めて、第7世代のHBM（高帯域幅メモリ）である「HBM4E」12層サンプルの出荷を開始した」と報じた。
サムスン電子は2月に世界で初めて第6世代「HBM4」の量産出荷を開始したばかり。
HBM4Eは、ピン当たりの動作速度が最大16Gbpsに達し、前世代比で20％以上向上した。単一スタック当たり毎秒3．6TB（テラバイト）の帯域幅を実現し、大規模言語モデル（LLM）や次世代AIシステムの演算速度を最大化した。容量も48GB（ギガバイト）と、前世代比で30％以上増加した。
サムスン電子は今後、各顧客のサービス環境に合わせて、32GB（8層）から64GB（16層）までラインアップを拡充していく計画だ。今回のサンプル供給を皮切りに、顧客のスケジュールに合わせて量産供給を進めるとしている。
サムスン電子メモリー事業部のファン・サンジュン開発担当副社長は、「HBM4の量産成功に続き、次世代HBM4Eのサンプル供給も滞りなく完遂することで、サムスン電子の卓越した技術リーダーシップを市場に印象付けた」とし、「今後も圧倒的な技術格差と先制的な生産インフラ投資を基盤として、世界のAIメモリ市場の成長をリードしていく」と述べた。
SKハイニックスも近くHBM4Eを出荷するとみられており、両社によるHBM4E市場での競争はさらに激化すると予想される。
この記事に、韓国のネットユーザーからは「本当にすばらしい企業だな」「博士クラスの研究開発人材の待遇を良くしないと。さらに優秀な人材を増やして世界一を維持しよう」「おかしな労組の連中より、研究者に十分な成果給を出すべきだ」「工場の労働者たちばかりが成果給をよこせと騒いでいるが、研究者を大事に」など、「偉大な研究者たちの待遇を手厚くすべき」だとの声が多数上がっている。（翻訳・編集/麻江）
