シンガポールメディアの連合早報は23日、中国半導体大手の長鑫存儲技術（CXMT）に半導体の中核技術を漏えいしたとして、韓国サムスン電子の元研究員に懲役7年の実刑判決が言い渡されたとする記事を掲載した。
韓国・連合ニュースの報道として伝えたところによると、ソウル中央地裁は22日、流出した技術が「国家核心技術」に該当し、被告が漏えいの過程で共謀した事実が認められると指摘した。
また、被告が韓国の大企業が巨額を投じて開発した重要情報を取得して外国企業に使わせたとし、企業はもちろん韓国全体に損害を負わせたため厳罰は免れないと断じた。
被告はサムスン電子の元部長と共にCXMTへ転職する際、サムスンのDRAM技術をCXMTに漏えいしたとして、昨年5月に起訴されていた。
漏えいした技術は、サムスン電子が1兆6000億ウォン（約1760億円）を投じて世界で初めて開発した回路線幅10ナノメートル台のDRAMの最新工程技術とされる。被告は技術提供の見返りとして、CXMTから契約金3億ウォン（約3300万円）やストックオプション（株式購入権）などを含め6年間で計29億ウォン（約3兆1900億円）を受け取っていた。（翻訳・編集/柳川）
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