中国メディアの快科技は4日、「中国が韓国とのHBM（高帯域幅メモリー）技術格差を3年に縮める」とする記事を掲載した。
韓国メディアの報道などを引用して伝えたところによると、中国のメモリー製造大手、長鑫儲存（CXMT）は第3世代の高帯域幅メモリー規格であるHBM3技術ですでに韓国のサムスン電子とSKハイニックスに追い付き、韓国と中国のHBM技術格差はわずか3年に縮小した。
業界関係者によると、長鑫はすでにHBM3を量産する技術力を有していて、歩留まりが依然として制約要因ではあるものの、技術面での世代間のギャップはもはや存在しない。
HBM3は人工知能（AI）用の画像処理半導体（GPU）で広く使用されている第3世代の高帯域幅メモリー規格で、米NVIDIA（エヌビディア）のH100はこの規格を組み込んだGPUだ。米国の輸出規制に対応するため、NVIDIAが中国市場向けに特別に設計したH20 GPUは、H100の80GBを上回る96GBのHBM3を組み込んでいる。
長鑫の12インチHBMウエハー生産能力は年内に月産30万枚規模に達する見通し。上海証券取引所のハイテク新興企業向けの市場「科創板」への新規株式公開（IPO）も承認され、295億元（約6785億円）を調達する計画だ。
しかし、サムスン電子とSKハイニックスは依然として先行している。両社の最新AIチップはすでにHBM3Eを採用しており、年末までにHBM3やHBM3Eと比較して約2倍のデータ転送量を実現するHBM4の契約締結を開始する。
世界的なメモリー不足は中国メーカーに「空白期」を創出している。AIチップにおけるHBMの旺盛な需要により、サムスン電子とSKハイニックスの生産枠が完売となる中、長鑫は市場シェア奪取や技術イテレーション、生産能力増強を加速させる。（翻訳・編集/柳川）
